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提供了包括互补金属氧化物半导体晶体管的集成电路器件。所述集成电路器件包括：基底，包括第一导电型区域和第二导电型区域；第一有源区，布置在第二导电型区域中；第二有源区，布置在第一导电型区域中并且与第一有源区分隔开，并且隔离区位于第二有源区与第一...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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