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本发明涉及一种蚀刻方法和基板处理装置。[课题]扩大对象膜的能控制开口幅度的范围。[解决方案]提供一种蚀刻方法，其具备如下工序：提供基板的工序，所述基板具有蚀刻对象膜、含有硅的硬掩模和经图案化的抗蚀层；第1工序，在对前述硬掩模进行蚀刻之前，由...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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