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本发明公开了一种垂直型硅基氮化镓功率器件减薄方法，涉及半导体技术领域，该方法在减薄过程中依次经过第一次研磨减薄、第一次背面腐蚀、第二次研磨减薄、快速热退火、第三次研磨减薄荷第二次背面腐蚀，该方法将传统的背面机械研磨分为三次完成，三次研磨减薄...
该专利属于江苏丽隽功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏丽隽功率半导体有限公司授权不得商用。

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