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集成电路装置及集成电路装置的制造方法制造方法及图纸
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文档序号:24335133
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本发明的实施方式的集成电路装置具有衬底、第1晶体管、绝缘层、第1接点、第2接点、及第1单晶部。所述第1晶体管具有第1栅极电极、以及设置在所述衬底的第1源极区域及第1漏极区域。所述第1接点面向所述第1栅极电极。所述第2接点面向所述第1源极区域...
该专利属于东芝存储器株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。
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