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本发明涉及用于测量半导体装置的诸层之间的未对准的系统及方法。在具体实施例中，一种方法，其包括：施加输入电压至与半导体装置的第一导电层关联的一个或多个第一电极中的每一个；感测一个或多个第二电极与所述半导体装置的第二导电层关联的电气性质，以响应...
该专利属于应美盛公司所有，仅供学习研究参考，未经过应美盛公司授权不得商用。

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