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一种氮化镓基异质结集成器件结构的制造方法，包括：在硅片表面依次生长AIN成核层、GaN缓冲层、氮化镓沟道层、无掺杂势垒层和pGaN层；在所述pGaN层表面积淀光刻涂层，利用掩模版暴露出部分pGaN层表面并用注入硅离子；对注入的硅离子进行退火...
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