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本发明提供一种SGT‑MOSFET半导体器件，属于半导体技术领域，其结构包括N型重掺杂半导体衬底和位于N型重掺杂半导体衬底上表面的N型半导体漂移区；N型半导体漂移区的上表面设有P型区，P型区上表面设有N型重掺杂半导体源区，N型重掺杂半导体源...
该专利属于济南安海半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南安海半导体有限公司授权不得商用。

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