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本发明涉及一种短沟道碳化硅MOSFET器件及其制造方法，该器件包括碳化硅衬底、位于碳化硅衬底之上的碳化硅外延层、位于碳化硅外延层之上的栅介质层、位于栅介质层之上的层间介质层，在碳化硅衬底的背部沉积金属形成漏极接触，在碳化硅外延层与栅介质层之...
该专利属于苏州锴威特半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州锴威特半导体股份有限公司授权不得商用。

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