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本发明提供了一种GaN高电子迁徙率晶体管，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底上；沟道层，设置在缓冲层上；势垒层，设置在沟道层上；掺杂层，设置在势垒层上；源极，设置在沟道层上，并位于势垒层的一侧；漏极，设置在沟道层上，并位于势垒层的另一侧；栅极，...该专利属于重庆平创半导体研究院有限责任公司;重庆大学所有，仅供学习研究参考，未经过重庆平创半导体研究院有限责任公司;重庆大学授权不得商用。