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本发明提供了快恢复二极管及其制备方法。其中，快恢复二极管包括：元胞区、围绕所述元胞区设置的主结区和围绕所述主结区设置的终端区，所述主结区中的主结掺杂区的掺杂浓度小于所述元胞区中的有源区的掺杂浓度，并且在由内向外的方向上，所述主结掺杂区中的掺...
该专利属于深圳比亚迪微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳比亚迪微电子有限公司授权不得商用。

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