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本发明涉及一种SOI半导体结构，其具有构造在背侧上的衬底层以及构造在正侧上的第二导电类型的半导体层，其中，在衬底层与半导体层之间布置有绝缘层，在半导体层中构造有具有由单片的半导体本体组成的传感器区域的三维霍尔传感器结构，半导体本体从下侧延伸...
该专利属于TDK-迈克纳斯有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过TDK-迈克纳斯有限责任公司授权不得商用。

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