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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种三维存储器及其形成方法。所述三维存储器包括：依次层叠的第一存储器件、第一外围电路器件和第二存储器件；所述第一存储器件、第二存储器件均与所述第一外围电路器件电连接。本发明一方面，提供了更大的存储空间和...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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