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提供了一种半导体装置的制造方法。该方法包括利用不同的材料层形成牺牲层，并且蚀刻牺牲层。...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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