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本发明提供了一种导电互连线的制造方法，在具有导电插塞的第一层间介质层上形成第二层间介质层和图案化的光阻层之后，以所述图案化的光阻层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的所述第二层间介质层来形成相应的第一沟槽；接着，去除所述图案化的光阻层，并形成填充所述...
该专利属于合肥晶合集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路有限公司授权不得商用。

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