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本申请公开了3D存储器件及粘附膜的原子层沉积方法。该原子层沉积方法包括：在反应室中放置形成有层间绝缘层的衬底；通入包含Ti的第一反应气体；以及通入包含N的第二反应气体和包含Si的第三反应气体，其中，所述原子层沉积方法在所述层间绝缘层的暴露表...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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