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气体注入模块、基底处理设备以及制造半导体器件的方法技术
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文档序号:24332925
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公开了一种气体注入模块、一种气体注入系统、一种基底处理设备以及一种制造半导体器件的方法。所述气体注入模块包括:喷淋头,具有位于喷淋头的第一区域上的第一注入孔和位于喷淋头的第二区域上的第二注入孔,第二区域位于第一区域的外部;第一分布板,位于喷...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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