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本实用新型涉及半导体技术领域，提出一种半导体结构，该半导体结构包括：深掺杂阱，与半导体衬底具有不同的掺杂类型，且包裹于半导体衬底内，以使深掺杂阱在堆叠方向上的两相对侧面分别与半导体衬底形成PN结；环形掺杂部，且形成于半导体衬底内；栅极绝缘层...
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