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本实用新型涉及一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器，包括衬底以及位于衬底上的磁阻；还包括第一引线部，所述第一引线部位于磁阻的侧壁位置并与所述磁阻的侧壁接触在一起，其中所述第一引线部与磁阻侧壁的接触面为倾斜面；所述磁阻的电信号通...该专利属于歌尔科技有限公司;北京航空航天大学青岛研究院所有，仅供学习研究参考，未经过歌尔科技有限公司;北京航空航天大学青岛研究院授权不得商用。