一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器，包括衬底以及位于衬底上的磁阻；还包括第一引线部，所述第一引线部位于磁阻的侧壁位置并与所述磁阻的侧壁接触在一起，其中所述第一引线部与磁阻侧壁的接触面为倾斜面；所述磁阻的电信号通过第一引线部引出。本实用新型专利技术的电连接结构，可以提高第一引线部与磁阻侧壁接触的面积，由此可保证第一引线部与磁阻导通的稳定性；同时可以降低制造时易产生的空隙、缺陷问题。

【技术实现步骤摘要】
一种MEMS磁传感器的电连接结构及MEMS磁传感器
本技术涉及传感领域，更具体地，本技术涉及一种MEMS磁传感器中磁阻的电连接结构；本技术还涉及一种MEMS磁传感器。
技术介绍
MEMS磁传感器是一种基于MEMS工艺制造的磁传感器，磁阻是其中重要的部件，该磁阻的电信号需要通过引线引出，并在此传感器裸露的位置形成用于外接的焊盘。现有的结构中，通常将引线连接在磁阻的侧壁位置，具体在制造的时候，预先在磁阻层的表面形成整层的导电层；之后对导电层进行图案化处理，得到引线的图案；之后对磁阻层进行图案化处理，得到磁阻的线条及形状。采用这样的工艺得到的磁传感器，引线边缘位置的磁阻层由于工艺自身的原因而无法完全去除，这会对此磁传感器的性能造成不可忽略的影响。另外，采用这种侧壁导通的方式，引线与磁阻的接触面不会很大，容易生成的空隙/缺陷可能导致产量和可靠性问题。
技术实现思路
本技术的一个目的是提供了一种MEMS磁传感器的电连接结构。根据本技术的一个方面，提供一种MEMS磁传感器的电连接结构，包括衬底以及位于衬底上的磁阻；还包括第一引线部，所述第一引线部位于磁阻的侧壁位置并与所述磁阻的侧壁接触在一起，其中所述第一引线部与磁阻侧壁的接触面为倾斜面；所述磁阻的电信号通过第一引线部引出。可选地，在所述衬底与磁阻之间还设置有介电层。可选地，所述介电层为氧化硅。可选地，还包括将第一引线部、磁阻覆盖在介电层上的钝化层；所述钝化层上对应第一引线部的位置设置有通孔，还包括位于钝化层上的第二引线部，所述第二引线部通过所述通孔与第一引线部导通。可选地，所述钝化层为氮化硅。可选地，所述磁阻侧壁的倾斜面使得所述磁阻从其底面至其顶面的尺寸逐渐变大。可选地，所述磁阻侧壁的倾斜面使得所述磁阻从其底面至其顶面的尺寸逐渐变小。可选地，所述磁阻侧壁的倾斜面通过离子束刻蚀的方式形成。可选地，所述第一引线部通过剥离的工艺沉积在磁阻的边缘并与所述磁阻侧壁的倾斜面结合在一起。根据本技术的另一方面，还提供了一种MEMS磁传感器，包括上述的电连接结构。本技术的电连接结构，可以提高第一引线部与磁阻侧壁接触的面积，由此可保证第一引线部与磁阻导通的稳定性；同时可以降低制造时易产生的空隙、缺陷问题。通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明构成说明书的一部分的附图描述了本技术的实施例，并且连同说明书一起用于解释本技术的原理。图1是本技术电连接结构的示意图。图2是图1中第一引线部与磁阻配合位置的局部放大图。图3是第一引线部与磁阻另一实施方式的局部放大图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。图1示意出了本技术一种MEMS磁传感器的电连接结构，包括衬底1以及位于衬底1上的磁阻3。磁阻3通过MEMS工艺在晶圆上大批量制作，衬底1可以选用本领域技术人员所熟知的硅衬底。在衬底1与磁阻3之间还可设置介电层2，以避免二者的导通。介电层2可以选用二氧化硅或者本领域技术人员所熟知的其它材质，在此不再具体说明。本技术的磁阻3形成在介电层2上。具体在制作的时候，通过MEMS工艺在介电层2上依次形成磁阻的各层结构。例如在晶圆上形成呈矩阵排列的多个磁阻。本技术的磁阻3可以是巨磁阻传感器(GMR)、隧道磁阻传感器(TMR)、各向异性磁阻传感器(AMR)或者本领域技术人员所熟知的其它磁阻等。通过采用高灵敏度的巨磁阻传感器(GMR)、隧道磁阻传感器(TMR)或各向异性磁阻传感器(AMR)来获得检测的电信号，可以保证检测机构的电学性能。当然，磁阻类型的不同，在硅衬底上形成的各层结构也不同，在此不再具体说明。在制作的时候，首先在介电层2上形成磁阻层，之后可通过图案化的工艺对磁阻层进行刻蚀，形成磁阻3的结构及图形，这属于本领域技术人员的公知常识，在此不再具体说明。本技术的MEMS磁传感器的电连接结构，还包括第一引线部4，第一引线部4位于磁阻3的侧壁位置，并与磁阻3的侧壁接触在一起，磁阻3的电信号通过第一引线部4引出。如上所述，磁阻3具有多层的层叠结构。在一种典型的磁阻结构中，其包括反铁磁层、钉扎层、自由层等。磁阻3的图案形状之后，各层的侧壁被暴露出来。第一引线部4设置在磁阻3的边缘位置，并与磁阻3的侧壁接触导通起来。使得磁阻3的电信号可以通过第一引线部4引出。第一引线部4与磁阻3侧壁的接触面为倾斜面。具体在制作的时候，在刻蚀形成磁阻3图案的时候，将磁阻3的侧壁刻蚀呈倾斜面30，例如通过离子束工艺进行刻蚀。之后可通过剥离的工艺将第一引线部4沉积在磁阻3的边缘，并使第一引线部4与磁阻3的倾斜面30结合在一起，实现第一引线部4与磁阻3侧壁倾斜面30的导通。这种剥离工艺、沉积工艺均属于MEMS制造中的常用工艺，在此不再具体说明。采用倾斜面的设计结构，可以提高第一引线部4与磁阻3侧壁接触的面积，由此可保证第一引线部4与磁阻3导通的稳定性；同时可以降低制造时易产生的空隙、缺陷问题。图2、图3示意出了磁阻3与第一引线部4两种不同实施方式的结构示意图。参考图2，磁阻3侧壁的倾斜面30使得磁阻3的尺寸从其底面至其顶面逐渐变大。也就是说，磁阻3的侧壁由其底部至顶部以逐渐靠近磁阻3中心位置的方式倾斜。参考图3,磁阻3侧壁的倾斜面30使得磁阻3的尺寸从其底面至其顶面逐渐变小。也就是说，磁阻3的侧壁由其底部至顶部以逐渐远离磁阻3中心位置的方式倾斜。在本技术一个优选的实施方式中，还包括将第一引线部4、磁阻3覆盖在介电层2上的钝化层5。该钝化层5可以采用氮化硅或者本领域技术人员所熟知的其它材质。在钝化层5上对应第一引线部4的位置设置有通孔，还包括位于钝化层5上的第二引线部6，第二引线部6通过通孔与第一引线部4导通。从而将磁阻3的电信号引出到磁阻传感器的外部，即引出到钝化层5的外表面。该第二引线部6可以作为焊盘，用于外接。本技术还提供了一种MEMS磁传感器，其包括上述的电连接结构。虽然已经通过示例对本实用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MEMS磁传感器的电连接结构，其特征在于：包括衬底以及位于衬底上的磁阻；还包括第一引线部，所述第一引线部位于磁阻的侧壁位置并与所述磁阻的侧壁接触在一起，其中所述第一引线部与磁阻侧壁的接触面为倾斜面；所述磁阻的电信号通过第一引线部引出。/n

【技术特征摘要】
1.一种MEMS磁传感器的电连接结构，其特征在于：包括衬底以及位于衬底上的磁阻；还包括第一引线部，所述第一引线部位于磁阻的侧壁位置并与所述磁阻的侧壁接触在一起，其中所述第一引线部与磁阻侧壁的接触面为倾斜面；所述磁阻的电信号通过第一引线部引出。


2.根据权利要求1所述的电连接结构，其特征在于：在所述衬底与磁阻之间还设置有介电层。


3.根据权利要求2所述的电连接结构，其特征在于：所述介电层为氧化硅。


4.根据权利要求2所述的电连接结构，其特征在于：还包括将第一引线部、磁阻覆盖在介电层上的钝化层；所述钝化层上对应第一引线部的位置设置有通孔，还包括位于钝化层上的第二引线部，所述第二引线部通过所述通孔与第一引线部导通。


5....

【专利技术属性】
技术研发人员：邹泉波，曹志强，冷群文，
申请(专利权)人：歌尔科技有限公司，北京航空航天大学青岛研究院，
类型：新型
国别省市：山东;37