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本发明涉及一种新型二维硫化铬材料的制备方法，包括：1)使用铬源在衬底上沉积，形成铬源薄膜；2)在铬源薄膜上铺设能够降低硫化铬形成能的材料；3)使用硫源与铬源薄膜进行硫化，形成二维硫化铬材料；所述硫化时衬底采用分段升温及恒温处理。本发明还涉及...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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