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本发明涉及半导体技术领域，为解决传统二氧化钒纳米线制备工艺生长周期长、效率低、范围小的问题，提供了一种二氧化钒纳米线及其制备方法、应用，所述二氧化钒纳米线由外延生长法制得，所述二氧化钒纳米线同向分布，所述二氧化钒纳米线的长度为3～13μm，...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

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