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本申请实施例提供的半导体器件及制作方法。半导体器件包括：衬底；设置在衬底上的半导体层。基于半导体层远离衬底一侧制作形成的源极、漏极及栅极。基于半导体层远离衬底一侧制作形成的介质层，介质层将源极和漏极与栅极隔离开。栅极包括至少两个依次连接在一...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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