温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了SiC器件和相应的制造方法的实施例。在一些实施例中，SiC器件具有在一些栅极沟槽的底部处的屏蔽区以及在其他栅极沟槽的底部处与SiC材料一起形成的非线性结。在其他实施例中，SiC器件具有在栅极沟槽的底部处并且布置成行的屏蔽区，所述行在相...
该专利属于英飞凌科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英飞凌科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。