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本公开提供在一晶圆上的一种测试结构。该测试结构包括多个隔离区域、一主动区域、多个栅极、一第一金属元件以及一第二金属元件。该主动区域位在各隔离区域之间。各栅极则分别位在隔离区域与主动区域其中之一上。第一金属元件电性地耦接到其中一栅极，而第二金...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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