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本发明提供了一种半导体器件及其制作方法、对位标记的制作方法，包括：提供第一基底，在第一基底上形成多个对位标记，切割第一基底，形成多个用于对位的对位晶粒，每个对位晶粒包括切割后的第一基底以及形成于切割后的第一基底上的至少一个对位标记，提供一需...
该专利属于中芯集成电路(宁波)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯集成电路(宁波)有限公司授权不得商用。

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