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铜柱凸点结构及其制造方法技术
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文档序号:24291215
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本发明提出一种铜柱凸点结构及其制造方法,涉及半导体生产技术领域,结构包括:具有金属焊盘的半导体器件;设置于金属焊盘上的铜柱;具有U形截面的金属阻挡层,位于铜柱上金属阻挡层的中间部覆盖铜柱的顶面,U形截面的开口朝向远离铜柱的方向,其中金属阻挡...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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