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本发明实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例通过形成交替堆叠的第一鳍部材料层和第二鳍部材料层，使得在刻蚀工艺中，第一鳍部材料层相对于第二鳍部材料层具有高的刻蚀选择比。由此形成的栅极结构具有不同的宽度，达到控制鳍部上电流分布的效...该专利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。