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本实用新型提出一种内置肖特基结构的沟槽式半导体功率器件，包括N型半导体基片，其上表面开有若干个垂直沟槽，沟槽内壁及其外围设置栅氧化层，沟槽之间的表面下方形成N+注入层，沟槽内填满导电多晶硅，沟槽上方及其外围上覆盖绝缘介质层，绝缘介质层上覆盖...该专利属于张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司授权不得商用。