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一种通过结合离子注入和外延生长而制造的栅格。采用以下步骤，栅格结构由SiC半导体材料制成：a)提供包括掺杂半导体SiC材料的衬底，所述衬底包括第一层(n1)，b)通过外延生长在第一层(n1)上形成分离的第二区域(p2)，所述外延生长添加至少...
该专利属于阿斯卡顿公司所有，仅供学习研究参考，未经过阿斯卡顿公司授权不得商用。

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