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公开了装置和方法，其具有(a)在基底(20)表面上暴露的半导体单壁碳纳米管通道(10)，其中所述暴露的半导体单壁碳纳米管通道被官能化为具有与目标分析物同源的捕获部分，(b)连接所述暴露的半导体单壁碳纳米管通道的相对端的源电极和漏电极(50)...
该专利属于热电科学仪器有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过热电科学仪器有限公司授权不得商用。

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