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低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法技术
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文档序号:24253519
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本发明公开了一种低滚降准二维钙钛矿发光二极管及其制备方法,从下而上依次设置阴极、空穴传输层、空穴传输层与发光层界面修饰层、钙钛矿发光层、发光层与电子传输界面修饰层、电子传输层、电子注入层、阳极。本发明通过修饰空穴传输层与钙钛矿发光层的界面,...
该专利属于上海大学所有,仅供学习研究参考,未经过上海大学授权不得商用。
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