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本发明涉及一种提升AlGaN/AlN多量子阱界面质量的生长方法，本发明是在MOCVD设备中进行的，在AlGaN量子阱和AlN量子垒周期性切换时中断生长，抑制界面组分渐变层的形成；同时在AlN生长过程中周期性的交替提供Ⅲ、Ⅴ族源，减少反应源之...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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