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本发明公开了一种光电突触器件的制备及调制方法，所述制备方法包括以下步骤：制备包含栅极层、介电层、源电极和漏电极的场效应晶体管结构；在源电极和漏电极上方转移石墨烯薄膜；将石墨烯薄膜加工成导电沟道；在加工成导电沟道后的石墨烯薄膜表面制备石墨炔薄...
该专利属于天津理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津理工大学授权不得商用。

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