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本发明提供了一种晶体管、半导体器件及晶体管的形成方法，通过在衬底的源区及漏区之间形成若干沿着所述源区至所述漏区的方向排列的凹槽，再形成位于所述源区及所述漏区之间的衬底上并填充所述凹槽的栅极结构，在不增加晶体管面积的情况下增加了沟道的长度(沿...
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