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本发明关于一种半导体装置以及嵌位电路。所述半导体装置包含：一衬底；一第一半导体层，设置在所述衬底上并且由三族氮化物半导体材料构成；一第二半导体层，设置在所述第一半导体层上并且由三族氮化物半导体材料构成；一功率晶体管结构，包含有一栅级结构、一...
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