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本发明提供了一种应用于SOI工艺集成电路芯片的静电保护装置，包括半导体衬底、埋氧层、P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区，P型阱区、P型体接触区、N型阱区、N型接触区和P型接触区均位于所述埋氧层之上的硅膜区内，P型体接触...
该专利属于常州工学院所有，仅供学习研究参考，未经过常州工学院授权不得商用。

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