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本发明供一种双势垒沟槽外延高压PIN芯片及其制造方法，包括以下步骤：对N型衬底的N型外延层进行刻蚀处理，使N型外延层表面形成若干第一沟槽；对第一沟槽进行P型离子注入，形成P型注入区；对N型外延层进行刻蚀处理，使N型外延层表面形成若干第二沟槽...
该专利属于深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳方正微电子有限公司授权不得商用。

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