温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的SiC单晶制造装置是在配置于坩埚内的籽晶的生长面上进行结晶生长从而制造SiC单晶的SiC单晶制造装置，坩埚(1)包含坩埚下部(1A)和坩埚上部(1B)，坩埚下部(1A)能够在内部收纳SiC单晶用原料(M)，且具有底部(1Aa)和侧部...
该专利属于昭和电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过昭和电工株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。