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本发明涉及磁控溅射技术领域，具体涉及一种第二代高温超导带材金属溅射靶材保护装置及基片薄膜制作方法，所述保护装置包括保护壳体、升降驱动装置和磁控溅射枪，保护壳体内设置有保护腔室，磁控溅射枪设置在保护腔室内，保护壳体的底部设置有闸板阀，所述闸板...
该专利属于西南交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过西南交通大学授权不得商用。

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