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本实用新型公开了一种倒装LED芯片外延结构，其包括：衬底；设于所述衬底上的第一折射层；设于所述第一折射层上的第二折射层；设于所述第二折射层上的第三折射层；设于所述第第三折射层上的第一半导体层；设于所述第一半导体层的有源层；和设于所述有源层上...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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