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本实用新型公开了一种瞬态电压抑制二极管及电子产品，包括：衬底，设置在所述衬底上方的外延层和设置在外延层内的阱区，所述阱区的掺杂类型和所述外延层的掺杂类型相反，其特征在于，所述阱区的外围设置有第一沟槽，所述第一沟槽的外围设置有第二沟槽，所述第...
该专利属于上海韦尔半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海韦尔半导体股份有限公司授权不得商用。

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