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本申请实施例至少提供一种写操作电路和半导体存储器。该写操作电路包括：串并转换电路，用于对DBI端口的第一DBI数据进行串并转换，以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据，以及根据第二DBI数据和DQ端口的输入数据，生成数据缓冲模块的输入数据...
该专利属于长鑫存储技术(上海)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术(上海)有限公司授权不得商用。

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