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本发明公开了一种片上键合Si/III‑V量子点单光子源及其制备方法，该量子点单光子源包括：波导耦合器件；量子点单光子源光源激光器，键合于波导耦合器件的垂直上方，该量子点单光子源光源激光器采用以III‑V族量子点为有源层的外延片制作单光子源。...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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