温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种2bit存储器单元结构，每个单元包含2个存储管A及A*及一个选择管，所述存储器单元能存储2bit数据，所述选择管的栅极引出形成所述存储器单元的第一字线，所述选择管的源极及漏区分别与其两侧的存储管的源极或者漏极相连，所述存储管...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。