温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；沟槽，形成于半导体衬底内；掺杂介质层，形成于沟槽的底部及侧壁；第一介质层，形成于沟槽内，第一介质层的上表面低于半导体衬底的上表面；衬底延伸层，形成于沟槽未被第一介质层覆盖的侧壁上，并延伸覆盖...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。