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一种抑制SiC MOSFET串扰的多电平有源驱动电路制造技术
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文档序号:24175503
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本发明公开了一种抑制SiC MOSFET串扰的多电平有源驱动电路及其控制方法,其中,该多电平有源驱动电路可以用于SiC等宽禁带半导体器件在上下桥臂电路中的高速驱动,与SiC MOSFET的栅源极连接,其包括由第一开关管、第二开关管、第三开关...
该专利属于北京交通大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京交通大学授权不得商用。
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