温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供了一种垂直半导体装置。所述垂直半导体装置可以包括多个沟道连接图案、下绝缘层、支撑层、堆叠结构和沟道结构。沟道连接图案可以接触基底。下绝缘层可以形成在沟道连接图案上。支撑层可以形成在下绝缘层上以与沟道连接图案间隔开。支撑层可以包括掺杂有杂...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。