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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，基底包括PMOS区，基底包括衬底以及凸出于衬底的半导体柱，PMOS区的半导体柱包括第一半导体柱以及位于第一半导体柱上的第二半导体柱，第二半导体柱中Ge的摩尔体积百分比大于第一半导体柱中Ge...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。