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本发明涉及DDR SDRAM物理层接口电路与DDR SDRAM控制装置。本发明的DDR SDRAM物理层接口电路使用较少电路面积并能调整内存控制器与储存电路之间的信号的相位，包含：多相位时脉产生器产生多个时脉包含参考时脉、第一时脉、第二时脉...
该专利属于瑞昱半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑞昱半导体股份有限公司授权不得商用。

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