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本发明适用于IGBT设计制技术领域，提供了一种IGBT的设计方法，包括如下步骤：S1、构建IGBT的元胞模型；S2、在IGBT元胞模型上调整单一的IGBT参数，IGBT参数包括元胞结构参数和工艺参数，获取各IGBT参数在不同取值下的IGBT...
该专利属于安徽瑞迪微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽瑞迪微电子有限公司授权不得商用。

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